人工晶体学报

作者：蔡序敏, 祁英昆, 赵元安, 胡国行, 李国辉, 胡子钰, 郑国宗

单位：中国科学院福建物质结构研究所,福州 350002;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院大学,北京,100049;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院福建物质结构研究所,福州,350002;中国科学院福建物质结构研究所,福州 350002;福州大学化学学院,福州 350116

关键词：DKDP晶体,损伤阈值,横向双锥生长,横向受激拉曼散射,

在ICF工程中II类三倍频晶体使用的是含氘量70%DKDP晶体,而70%DKDP晶体生长难度大,成本高,因此选用氘含量低,性能达到工程要求的DKDP晶体作为II类三倍频晶体是很有必要的.采用横向双锥快速生长技术生长氘含量约35%DKDP晶体,按照II类方向进行切割,测试三倍频激光损伤阈值和横向受激拉曼散射效应(TSRS),并与70%DKDP晶体进行对比.实验结果表明,所生长含氘量35%DKDP晶体比70%DKDP晶体损伤阈值约高1.8倍,而在881.7 cm-1,35%DKDP晶体的拉曼散射峰值强度比70%DKDP晶体高出约23%,70%DKDP晶体的TSRS比35%小.

来源：2019年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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