人工晶体学报

作者：孙阳硕;王红波;周亮;马大衍;马飞

单位：长安大学材料科学与工程学院,西安,710064;西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049

关键词：SnO2纳米线;生长温度;生长行为;泡沫镍,

基金：陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2017JQ5018);中央高校基本科研业务费专项资金(310831161016);西安交通大学金属材料强度国家重点实验室开放课题(20161809)

采用热蒸发法,在镀有Au(金)的多孔泡沫镍基底上生长了SnO2纳米线,生长温度分别为750℃、800℃和850℃,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)研究了生长温度对纳米线生长行为的影响,采用X射线光电子能谱仪(XPS)研究了样品的元素结合态,采用荧光光谱仪研究了样品的室温光致发光(PL)性能.结果证明,生长温度对SnO2纳米线形貌、尺寸、密度等形态学特征影响显著.在750℃下,SnO2为颗粒状;800℃生成了较高密度的SnO2纳米线,且随温度升高纳米线产量增加、直径显著增大;在850℃下其直径增大至微米级.对室温光致发光性能的研究发现,随生长温度升高,在SnO2产量增加和氧缺陷浓度的提高的共同作用下,导致其发光性能随之显著提高.

来源：2019年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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