人工晶体学报

作者：孙霄霄

单位：牡丹江师范学院物理与电子工程学院,牡丹江,157012

关键词：第一性原理;MI3;弹性性质;电子结构,

基金：黑龙江省教育厅科学技术研究项目(1352MSYYB013)

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势计算方法,对比研究了菱方结构MI3(M=Bi,Sb,As)的弹性和电子性质.结果表明:SbI3的生成焓最低,较BiI3、AsI3更易生成.这三种材料都体现了弹性各向异性特征.SbI3是偏延性材料,BiI3和AsI3是脆性材料.高压下AsI3更容易被压缩.德拜温度的大小关系依次为SbI3>BiI3>AsI3.MI3(M=Bi,Sb,As)都是间接带隙半导体,电子的局域程度较强.在费米能级附近,I-5p轨道电子和金属M-s轨道电子发生杂化,形成共价键.MI3(M=Bi,Sb,As)中的化学键是共价键和离子键的混合.

来源：2019年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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