人工晶体学报

作者：伏春平;黄浩;孙凌涛;夏继宏;程正富

单位：重庆文理学院物理系,永川,402160

关键词：SnO2;能带结构;态密度,

基金：重庆市教委科技项目资助(KJ1601128);重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室开放课题基金(KF2016012);重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心开放课题资助(KF20170106)

基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布.结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109 eV、1.86 eV、1.214 eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡献;C-Y、C-Zr共掺杂SnO2会打破SnO2电子平衡状态,致使电荷的重新分布.

来源：2019年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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